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“2019年场效应晶体管中电子、光子和离子耦合原理与应用”学术研讨会特邀嘉宾简介

发布时间:2019-12-31 17:23    点击次数:51次   

  “2019年场效应晶体管中电子、光子和离子耦合原理与应用”学术研讨会特邀嘉宾简介——薄膜晶体管篇2

  来源:DT新材料一DT高分子在线年场效应晶体管中电子、光子和离子耦合原理与应用”学术研讨会特邀嘉宾简介——薄膜晶体管篇2

  场效应晶体管又称单极型晶体管,具有具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。薄膜晶体管是一类利用纵向电场控制横向电流的三端器件,可作为开关元件用于驱动显示像素和构筑逻辑电路,也可作为传感单元用于光电/生物分子/气体分子的探测。

  本次“2019年场效应晶体管中电子、光子和离子耦合原理与应用”学术研讨会有幸邀请到在薄膜晶体管有着深入研究的中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所赵建文研究员、北京大学梁学磊教授、中国科学院微电子研究所李泠研究员、山东大学辛倩研究员作为研讨会的特邀嘉宾,期待这几位嘉宾在论坛现场给我们带来的不一样的启发。

  赵建文,男,博士,研究员。2008年毕业于中国科学院理化技术研究所,获物理化学博士学位。2009年在南洋理工大学从事半导体碳纳米管选择性分离、高性能碳基薄膜晶体管器件构建及在简单电路中的应用研究。2011年1月加入中国科学院苏州纳米所印刷电子技术中心。主要研究包括:印刷碳纳米管和氧化物薄膜晶体管器件和电路构建以及在新型显示、类脑芯片、物联网以及航天航空等领域中的应用研究。先后主持和参与印刷碳纳米管电子器件相关研究项目15余项(包括国家重点研究计划、中科院战略性纳米先导专项、国家自然基金重点项目、中科院知识创新工程、973项目、国家自然基金面上和青年项目、江苏省自然基金面上和企业产学研项目多项)。以第一作者或通讯人在Adv. Fun. Mater.、Small、Nanoscale、Carbon、ACS AMI、Adv. Electron. Mater.、JPCC、JMCC等刊物发表印刷薄膜晶体管器件相关研究论文40余篇。以第一发明人公开发表半导体碳纳米管分离、碳纳米管和氧化物薄膜晶体管和电路相关的专利20余项,已授权10项(其中美国专利2项,国内专利7项,韩国专利1项)。撰写了印刷电子著作-《印刷碳纳米管薄膜晶体管技术与应用》(高教出版社)1本,参与撰写《印刷电子学:材料、技术及其应用》(高教出版社)和《Printed Electronics: Materials, Technologies and Applications》(Wiley公司出版)(撰写第五章“印刷晶体管原理、结构与制造技术”)。

  李泠,男,中国科学院微电子研究所研究员国家“杰出青年”基金获得者,中科院“百人计划”科学家。长期从事微电子器件模型和电路应用的研究工作。在载流子输运,新型半导体器件紧凑模型技术和相关电路设计开发等方面开展了一系列开拓性的研究工作:拓展了莫特理论,建立了统一的迁移率模型和爱因斯坦关系模型;利用新的表面势方法,系统开发了薄膜晶体管,存储器及新型逻辑器件紧凑模型体系;提出了6T2C显示驱动电路和显示残像消除技术。其中部分成果转移给华大九天,华为公司和京东方,实现了应用。

  辛倩,山东大学微电子学院,副研究员,博士生导师,山东大学“青年学者未来计划”获得者,山东大学纳电子工程研究中心副主任。主要从事氧化物半导体材料与薄膜器件、超宽禁带氧化物半导体功率器件等领域的研究。迄今发表了包括Nature Communications, Physical Review Letters, IEEE Electron Device Letters,Applied Physics Letters在内的50余篇SCI论文,参与撰写了一部Springer学术著作,近5年主持了十余项国家、省部级等科研项目,骨干参与了国家重点研发计划、国家973等重大项目。


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